【摘 要】
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This paper presents a novel mixed-voltage I/O buffer without an extra dual-oxide CMOS process.This mixed-voltage I/O buffer with a simplified circuit scheme can
【机 构】
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Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits Institute of Microelectronics, Peking Univers
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This paper presents a novel mixed-voltage I/O buffer without an extra dual-oxide CMOS process.This mixed-voltage I/O buffer with a simplified circuit scheme can overcome the problems of leakage current and gateoxide reliability that the conventional CMOS I/O buffer has.The design is realized in a 0.13-μm CMOS process and the simulation results show a good performance increased by ～34% with respect to the product of power consumption and speed.
This paper presents a novel mixed-voltage I / O buffer without an extra dual-oxide CMOS process. This mixed-voltage I / O buffer with a simplified circuit scheme can overcome the problems of leakage current and gateoxide reliability that the conventional CMOS I / O buffer has. The design is realized in a 0.13-μm CMOS process and the simulation results show a good performance increased by ~ 34% with respect to the product of power consumption and speed.
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