【摘 要】
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采用分子束外延技术,利用RHEED图像可研究GaAs表面重构方式和生长机制。报道了一种新型的分子束外延方法,在RHEED实时监控下,利用GaAs（001）基片同质外延GaAs。通过改变生长和退
【机 构】
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贵州大学理学院,贵州财经学院教育管理学院,贵州师范大学物理与电子科学学院
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采用分子束外延技术,利用RHEED图像可研究GaAs表面重构方式和生长机制。报道了一种新型的分子束外延方法,在RHEED实时监控下,利用GaAs（001）基片同质外延GaAs。通过改变生长和退火的时间与温度（420、500、580℃）,结合RHEED图像演变与GaAs表面平整度（粗糙化）的联系,得到表面原子级平整的GaAs样品。完成生长后对样品做EDS分析,确定样品为高纯度GaAs。利用这种方法,得到厚度约为4μm砷化镓晶体。
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