一种P-GaN栅极结合槽栅技术的增强型HEMT

来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：liuliumin3

【摘要】

：

为了得到高击穿电压、高阈值电压的增强型GaN器件,提出了一种P型掺杂GaN(PGaN)栅极结合槽栅技术的AlGaN/GaN/AlGaN双异质结结构。该器件的阈值电压高达3.4V,击穿电压达738V。利用Sentaurus TCAD进行仿真,对比了传统P-GaN栅与P-GaN栅结合槽栅的AlGaN/GaN/AlGaN双异质器件的阈值电压和耐压。结果表明,栅槽深度在5~13nm范围内变化时,阈值电压随栅槽深度的增大而增大,击穿电压随栅槽深度的增大呈先增大后略减小;导通电阻随槽栅深度的增大而增大,最小导通电阻为

【作者】

：

乔杰冯全源

【机构】

：

西南交通大学微电子研究所

【出处】

：

微电子学

【发表日期】

：

2021年3期

【关键词】

：

P-GaN栅极双异质结槽栅阈值电压击穿电压

【基金项目】

：

国家自然科学基金重点项目(61531016,61831017),四川省重大科技专项项目(19ZDYF2904,2018ZDZX0148,2018GZDZX0001)。

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