【摘 要】
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利用国内先进的0.6μm数字Si-MOS工艺,设计了射频MOSFET,并研究了其DC和微波特性:I-V曲线、S参数、噪声参数和输出功率.研究发现,数字电路用Si MOSFET的频率响应较高:频率为1
【基金项目】
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国家高技术研究发展计划(863计划);
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利用国内先进的0.6μm数字Si-MOS工艺,设计了射频MOSFET,并研究了其DC和微波特性:I-V曲线、S参数、噪声参数和输出功率.研究发现,数字电路用Si MOSFET的频率响应较高:频率为1 GHz时功率增益可达10 dB,2 GHz时为8 dB,4 GHz时为5 dB.1.8 GHz时,1分贝压缩输出功率12.8 dBm,饱和输出功率可达18 dBm,且最小噪声系数为3.5 dB.用提取的参数设计并研制了微波Si MOSFET低噪声放大器,以验证MOS器件的微波性能.此放大器由两级级联而成,单电源供电,输入输出电容隔直.在频率1.7～2.2 GHz的范围内,测得放大器增益15±0.5 dB,噪声系数NF＜3.8 dB,1分贝压缩输出功率12dBm;在频率1.5～2.5 GHz的范围内,放大器增益大于13 dB.
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