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采用平面波展开和第一原理赝势法对理想β-SiC(001)Si面晶体及可能吸附的H2、N2、O2、CO小分子的超晶胞进行计算.结果发现:0K且忽略原子弛豫时,以替位式吸附占据晶格位置时,除N2外,其他小分子均可以吸附在β-SiC(001)的Si表面上,且随着吸附位置的改变,小分子键长均会发生改变,其中O2形变最大;从吸附能量角度来看,O2在β-SiC(001)Si表面的吸附能力最强,其次是H2,最后是CO.