【摘 要】
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基于UMC 0.25 μm BCD工艺,在传统带隙基准结构的基础上,设计了一种具有低功耗、高精度的基准,同时利用NMOS管工作在亚阈值区域时漏电流和栅极电压的指数特性,对基准温度特性
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基于UMC 0.25 μm BCD工艺,在传统带隙基准结构的基础上,设计了一种具有低功耗、高精度的基准,同时利用NMOS管工作在亚阈值区域时漏电流和栅极电压的指数特性,对基准温度特性曲线进行二阶补偿.仿真结果表明,电源电压5V时,静态电流功耗为3.16 μA;电源电压2.5V～5.5V,基准电压变化53 μV;温度在-40℃～130℃内,电路的温度系数为0.86＆#215;10-6/℃;三种工艺角下,低频时电路电源抑制比都小于-95 dB.
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