【摘 要】
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已经生长出不同掺杂浓度的ZnWO_4:Ge~(4+)单晶。ZnWO_4:Ge~(4+)单晶的吸收谱在323nm处有一个强的吸收带,有助于荧光效率的提高。ZnWO_4:Ge~(4+)单晶的激发谱由405nm、450nm和
【机 构】
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北京工业大学环境化学与工程系,北京工业大学环境化学与工程系
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已经生长出不同掺杂浓度的ZnWO_4:Ge~(4+)单晶。ZnWO_4:Ge~(4+)单晶的吸收谱在323nm处有一个强的吸收带,有助于荧光效率的提高。ZnWO_4:Ge~(4+)单晶的激发谱由405nm、450nm和465nm三个带组成。ZnWO_4:Ge~(4+)单晶的能量分辨率可高达14.9％,因而可在辐射探测器和X射线接收器等方面得到应用。
Have grown different doping concentrations of ZnWO_4: Ge ~ (4 +) single crystal. The absorption spectrum of ZnWO 4: Ge 4+ crystal has a strong absorption band at 323 nm, which contributes to the improvement of fluorescence efficiency. The excitation spectrum of ZnWO 4: Ge 4+ crystal consists of three bands of 405 nm, 450 nm and 465 nm. The energy resolution of ZnWO_4: Ge ~ (4+) single crystal can reach as high as 14.9%, so it can be used in radiation detector and X-ray receiver.
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