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通过常规的透射光谱测量，提供一种获取GaAs／AlGaAs多量子阱材料中上电极层、多量子阱区域实际生长厚度的简便、无损伤的方法，这两个厚度参数在器件制备工艺、材料生长参数修正中起关键作用．
GaAs／AlGaAs多量子阱红外探测材料的结构厚度获取方法
【摘 要】
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通过常规的透射光谱测量，提供一种获取GaAs／AlGaAs多量子阱材料中上电极层、多量子阱区域实际生长厚度的简便、无损伤的方法，这两个厚度参数在器件制备工艺、材料生长参数修正中
【机 构】
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淮阴师范学院江苏省低维材料化学重点建设实验室,中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室
【出 处】
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淮阴师范学院学报(自然科学版)
【发表日期】
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2007年2期
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