【摘 要】
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应用光电化学方法,根据Butler-Gartner模型测定了n-InP半导体材料的少子扩散长度、吸收系数、跃迁模式和禁带宽度,并将结果与文献上用物理方法测得的数据进行了比较。
Accor
【机 构】
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上海交通大学应用化学系,上海交通大学应用化学系,上海交通大学应用化学系,上海交通大学应用化学系
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应用光电化学方法,根据Butler-Gartner模型测定了n-InP半导体材料的少子扩散长度、吸收系数、跃迁模式和禁带宽度,并将结果与文献上用物理方法测得的数据进行了比较。
According to the Butler-Gartner model, the minority carrier diffusion length, absorption coefficient, transition mode and band gap of n-InP semiconductor materials were measured by the photoelectrochemical method. The results were compared with the data obtained from the literature by physical methods.
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