【摘 要】
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应用紫外光化学气相淀积技术在450和480℃超高真空的背景下在Si衬底上分别生长出应变Si1-xGex和Si材料.在此低温下,有效地控制了衬底中的杂质外扩以及界面的不清晰.X射线分析
【机 构】
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西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验
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应用紫外光化学气相淀积技术在450和480℃超高真空的背景下在Si衬底上分别生长出应变Si1-xGex和Si材料.在此低温下,有效地控制了衬底中的杂质外扩以及界面的不清晰.X射线分析结果表明Si1-xGex材料结晶状况良好,二次离子质谱分析结果表明多层Si1-xGex/Si材料界面陡峭,说明该技术能够生长出高质量的应变Si1-x Gex/Si材料.
Strain Si1-xGex and Si materials were respectively grown on the Si substrate under the conditions of ultra-high vacuum of 450 and 480 ° C by using the ultraviolet chemical vapor deposition technique. At this low temperature, the out-diffusion of impurities in the substrate is effectively controlled And the interface is not clear.X-ray analysis results show that the crystallization of Si1-xGex material is good, secondary ion mass spectrometry results show that the interface of multi-layer Si1-xGex / Si steep, indicating that the technology can grow high-quality strain Si1-x Gex / Si material.
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