【摘 要】
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在77K和室温下,研究了Hg_(1-x)Cd_xTe(x=0.5)p—n结伏安特性随流体静压力的变化,从中得到了禁带宽度E_g的压力系数。结果表明,在低压范围(0
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所红外物理开放研究实验室,中国科学院上海技术物理研究所红外物理开放研究实验室,中国科学院上海技术物理研究所红外物理开放研究实验室,中国科学院上海技术物理研究所红外物理开放研究
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在77K和室温下,研究了Hg_(1-x)Cd_xTe(x=0.5)p—n结伏安特性随流体静压力的变化,从中得到了禁带宽度E_g的压力系数。结果表明,在低压范围(0
1.4GPa),E_g～P关系明显偏离线性。实验还观察到,在正、反向小偏压区域,I—V特性随压力的变化呈现“反常”行为。
At 77K and room temperature, the pressure dependence of the voltammetry of Hg_ (1-x) Cd_xTe (x = 0.5) p-n junction with hydrostatic pressure was studied. The results show that the E_g linearly increases with pressure in the low pressure range (0 1.4GPa) at room temperature. The experiment also observed that in the positive and negative small bias region, I-V characteristics with pressure changes showed “abnormal” behavior.
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