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从理论上研究缓冲层的厚度和特性对多量子阱材料(GaAs/Ga1-xAlxAs)中的共振态的影响,利用界面响应理论的格林函数方法,计算了局域和总电子态密度以及电子对结的穿透率,展示了缓冲层特性对态密度特征峰、穿透率的影响.结果表明,缓冲层具有控制共振隧穿电子和影响系统电子态的作用.
缓冲层对多量子阱材料GaAs／Ga1-xAlxAs共振态的影响
【摘 要】
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从理论上研究缓冲层的厚度和特性对多量子阱材料(GaAs/Ga1-xAlxAs)中的共振态的影响,利用界面响应理论的格林函数方法,计算了局域和总电子态密度以及电子对结的穿透率,展示了
【机 构】
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华北工学院理学系
【出 处】
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微纳电子技术
【发表日期】
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2003年7期
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