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InN和GaN是宽禁带半导体中最重要的光电子材料，但现在还存在一些技术上的困难阻碍了它们的研究进展，其中一个重要的问题就是缺少合适的衬底材料。虽然现在对衬底材料的要求相对降低了，但为了生长出高质量的外延薄膜，选择合适的衬底材料还是非常必要。本文针对目前使用的InN外延衬底材料分别进行了讨论，评价了它们的优缺点，指出目前实用的InN衬底材料是有限的，应用最多的还是蓝宝石衬底和MgAl2O4晶体，且MgAl2O4晶体比蓝宝石晶体更有前景。