【摘 要】
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本文报导了一类新的晶体管-沟道基区晶体管(CBT)的实验研究和初步理论分析结果。这种晶体管在原理上同时含有双极晶体管和常闭型结型场效应晶体管的成份,其突出优点是电流增
【机 构】
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北京工业大学,北京工业大学,辽宁大学
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本文报导了一类新的晶体管-沟道基区晶体管(CBT)的实验研究和初步理论分析结果。这种晶体管在原理上同时含有双极晶体管和常闭型结型场效应晶体管的成份,其突出优点是电流增益随温度的变化和小电流区电流增益随电流的变化都远比双极晶体管小。
This paper reports the experimental research and preliminary theoretical analysis of a new type of transistor, a channel-based transistor (CBT). This transistor in principle contains both bipolar transistor and normally closed junction field effect transistor components, the outstanding advantages of the current gain with temperature and small current area current gain with the current changes are much smaller than the bipolar transistor .
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