【摘 要】
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通过抗静电剂与纳米粉体复配制备抗静电母粒,研究了5％、10％2种改性纳米SiO2粉体对薄膜光学及抗静电性能的影响,并利用SEM对抗静电剂及纳米粉体在薄膜中的形貌进行了表征.结果表
【机 构】
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乌海职业技术学院,乌海,016000;贵州大学化学与化工学院,贵阳,550003;贵州省纳米材料工程中心,贵阳,550002
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通过抗静电剂与纳米粉体复配制备抗静电母粒,研究了5％、10％2种改性纳米SiO2粉体对薄膜光学及抗静电性能的影响,并利用SEM对抗静电剂及纳米粉体在薄膜中的形貌进行了表征.结果表明:薄膜雾度随改性百分比的增加而增大,对透光率的影响不大.薄膜表面电阻率在1w内,2种改性百分比的薄膜表面电阻率差异不大,都能由1010Ω降到109Ω,抗静电效果较好,但是1w后,10％改性的薄膜表面电阻率呈持续增大的趋势,只是增大的幅度逐渐减小,5％改性的薄膜表面电阻率呈先降低再增高的趋势,增大的数值比1o％改性的薄膜约小一个数量级,因此,5％改性纳米SiO2粉体抗静电薄膜性能较好.
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