【摘 要】
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报道了生长在蓝宝石衬底上的AlGaN/GaNHEMT器件的制造工艺以及在室温下器件的性能 .器件的栅长为 1 0 μm ,源漏间距为 4 0 μm .器件的最大电流密度达到 1 0 0 0mA/mm ,最
【机 构】
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中国科学院微电子中心化合物半导体器件及电路实验室,中国科学院微电子中心化合物半导体器件及电路实验室,中国科学院微电子中心化合物半导体器件及电路实验室,中国科学院微电子中心化合物半导体器件及电路实验室,
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报道了生长在蓝宝石衬底上的AlGaN/GaNHEMT器件的制造工艺以及在室温下器件的性能 .器件的栅长为 1 0 μm ,源漏间距为 4 0 μm .器件的最大电流密度达到 1 0 0 0mA/mm ,最大跨导高达 1 98mS/mm ,转移特性曲线表现出增益带宽较宽的特点 .同时由所测得的S参数推出栅长为 1 0 μm器件的截止频率 (fT)和最高振荡频率 (fmax)分别为 1 8 7GHz和 1 9 1GHz.
The fabrication process of AlGaN / GaNHEMT device grown on sapphire substrate and the performance of the device at room temperature are reported.The gate length of the device is 10 μm, the source-drain spacing is 40 μm, and the maximum current density of the device reaches 100 0mA / mm, the maximum transconductance is up to 988mS / mm, and the transfer characteristic curve shows a wide gain bandwidth. Meanwhile, the cut-off frequency (fT) and the maximum oscillation The frequencies (fmax) are respectively 1 8 7GHz and 1 9 1GHz.
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