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在本刊2009年7月下，我们已经抢先对Intel即将发布的Lynnfield核心处理器进行了详细测试，并对其配套芯片组P55也进行了相关评测，相信大家从中感受到了Intel下一代主流平台的强大威力。不过稍显遗憾的是，由于测试时间较早，测试中的主板与处理器都属于工程样品，并不能代表产品的最终形态。那么实际上市的P55主板是怎样的呢?处理器在加入PCI—E控制器后，超频性能是否受到影响?还能支持Braidwood Support闪存加速技术吗? 为了让各位读者了解P55主板的真实状况，本刊此次特别对华硕电脑送测的一款接近上市标准的P55主板进行了体验。下面就让我们拨开笼罩在P55主板上的神秘云霾，看看P55主板带给我们的到底是惊喜还是失望?不过在体验开始之前，还是先让我们回顾一下P55芯片组的技术特性，以及上次测试中P55主板所暴露的问题。
优势与问题并存
P55芯片组是Intel为下一代Lynnfield核心处理器设计的使用平台。由于PCI-E 2.0总线控制器、内存控制器已经全部集成在处理器中，因此，P55芯片组的主要功能是起控制存储、音频与网络设备的作用，并提供一定的扩展插槽。其作用仅相当于传统意义上的南桥，所以P55芯片组采用简洁的单芯片设计方案来实现以上功能。与此同时，考虑到主板芯片组在系统中作用的变化，该芯片组的名称也由北桥MCH以及南桥ICH变为了PCH(Platform Controller Hub)，中文名称叫做“平台控制中心”。
规格方面，P55 PCH为用户提供了14 USB 2.0接口、8个PCI-E 2.0通道、6组SATA 2.0存储设备接口，并拥有Rapid Storage Technology~术，可组建RAID 011／5110磁盘阵列。需要特别指出的是，P55芯片提供的SATA接口中，有两个接口是采用了FIS(FrameInformation Structure，帧信息结构)切换机制的端口倍增器，也就是说一个接口可以连接多个存储设备，这些设备可以同时工作并进行数据传输。
在上次测试中，P552工程主板表现出了不俗的性能，其磁盘性能、USB’胜能的表现都相当突出，P55平台功耗也有一定程度的降低。不过由于测试时间较早，测试中的主板与处理器都属于工程样品，因此在测试中我们发现P55SK程主板存在以下一些问题：
1 首先是布局不合理，在上次测试中使用的P55主板上，P55 PCH的安放位置与显卡插槽的位置较近，并使用较高的散热器，导致第一根PCI-E x16显卡插槽无法使用双插槽设计的大型显卡，第二根PCI-E x16显卡插槽无法使用。
2 BIOS中没有调节处理器频率的项目，无法进行超频。
3 在P55主板上出现了Braidwood Support力口速技术使用的闪存盘插槽，然而根据InteI的官方资料，只有定位更高的P57芯片组才能支持此技术，那么P55主板是否支持Braidwood Support呢?
接下来就让我们通过对华硕P55主板的深度体验，看看以上问题是否能得到解决。
颠峰设计华硕P7P55D EVO主板
与以往华硕主板命名有所不同，此次这款华硕P55主板型号后多了一个D，并增加了一个EVO后缀。其中D是英文“Xtreme Design”颠峰设计的缩写，意味着主板在性能、安全、稳定性上都采用了优秀的设计。而EVO则是英文Evolution进化、演变的缩写。采用这个后缀显然想凸显P55芯片组出现后主板将在形态、功能上发生巨大的变化。那么该主板的实际状况如何呢?
设计布局更合理
这款主板采用标准的ATX大板设计、六层PCB，并在处理器供电部分使用了在P5Q、P5Q PRO等华硕P45主板上出现过的V型散热片。揭开主板上的各种散热片，可以看到P55 PCH被安置在了靠近主板左下角的位置，与各种存储接口的距离很近。因此不论是从功能还是布局来说，PCH看起来更像一颗南桥芯片。同时PCH采用了扁平外形的散热器，也令双槽设计的大型显卡插拔更加容易，不会受散热器所影响。我们上次测试中碰到的显卡安装问题在华硕P7P55D EVO主板上得到了很好的解决。
强大的扩展能力
值得注意的是，这款主板为用户提供了三根PCI—E x1 6显卡插槽。由于Lynnfield核心的处理器只能提供16个PCI—E 2，O通道，因此主板上的第三根PCI-E x16插槽的带宽是由P55 PCH提供，其实际带宽为PCI—E x4 2，O。所以这块主板具备组建x8 x8 x4三路CrossFireX的能力，与上一代P45主板相当。除此之外，主板还为用户提供了2个PCI—E x1 2，O与2个PCI插槽，以及6个SATA 2存储接口外，其中2个浅蓝色接口为采用FIS切换机制的端口倍增器。值得一提的是，主板还通过集成Marvell的88SE9123磁盘控制芯片为主板提供T--个PATA并行存储设备接口与两个SATA 3，O接口。当前主板与存储设备的SATA接口主要采用2，0标准，只能提供外部传输率3Gbps的传输速度，而SATA 3，0标准将传输速度提升到了6Gbps，并增加了新的NCQ串行指令，改进了电源管理功能。因此这也意味着华硕P7P55 EVO主板能够连接未来速度更陕的存储设备，并发挥出最大性能，从而为用户提供更大的升级空间。
此外需要提及的是，这块主板的I／O挡板采用了防EMI电磁干扰设计，能更好地保障用户的健康。同时该主板还为USB接口配备了特有的ESD防静电芯片，可以有效抵御静电对主板芯片组的损害，提升了产品的安全系数。
豪华的处理器供电设计
虽然Lynnfield核心处理器采用了先进的45nm工艺制造，但由于内存控制器、PCI—E控制器全部集成在处理器内部，处理器架构较Core i7系列处理器也没有明显变化，因此如果加压超频后处理器也会产生较大的功耗。所以为了让主板在超频后可以稳定工作，为用户提供更好的性能，这款主板采用了比较夸张的等效14市目供电设计。其中12相主要为处理器内核核心服务，另外2相则主要为处理器外围核心电路如内存控制器、PCI-E控制器工作。每相配备一个全封闭电感与两颗瑞萨科技的MOSFET(--颗K0355作为上桥、一颗K0353并联组成下桥)。同时为了让EPU PwM芯片获得12相PWM信号，主板在供电部分还配~rT--颗名为PEM的3路单刀双掷开关芯片。此外，得益于EPU PWM芯片的自适应能力，处理器供电电路还可以根据处理器负载大小进行4、8、12相的切换，以达到合理使用能源的目的。
丰富的功能
除了提供威盛VTl828s 7，1 2声道高保真音频芯片(DAC信噪比达1lOdB)、两颗Realtek的PCI—E千兆网络芯片外，这块主板还集成了威盛VT6308P IEEEl394芯片，并为用户提供两个IEEE 1394接口(其中一个需从机箱前面板引出)。此外该主板还具备一些华硕产品的特色功能。在主板电源接口附近我们可以看到一个外形类似CMOS清空按钮，但名为MemOK的内存重置按键。相信大家在超频时都遇到这样的问题，调高处理器外频后导致内存频率被随动超频，从而导致内存无法工作，系统无法点亮。在华硕P7P55EVO主板上，如果出现这种情况，只需要按--TMemOK，主板就会自动调节处理器外频与内存比例，将内存的频率及延迟参数直接下调到可以正常开机的水平，从而保证用户不会被内存问题所困扰。
其它方面，从主板板载的EPUPwM芯片、Express Gate芯片，我们可以了解到，华硕主板的EPU一6节能技术、内嵌式操作系统等传统特色技术在这块P55主板上均一一得到了继承。而且值得称赞的是，此次华硕还集成了专为实现一键超频功能的Turbo V硬件芯片，这样无需进行软件设定，只要通过外部控制器进行调节就可以实现实时超频，从而为用户带来更好的性能。
性能实测
由于Intel要在9月份才会发布Lvnnfield的正式上市版处理器，因此我们现在只能采用未屏蔽超线程技术的Lynnfield工程版处理器对主板进行测试。考虑到打开超线程技术后会加大系统的功耗与发热量，因此为考察主板在高压环境下的表现，我们在测试中特别打开了超线程技术。从测试成绩来看，配合Radeon HD 4890显卡、双通道DDR3 1333内存，系统发挥出了较好的性能表现。其中PCMark Vantage系统性能轻易地突破了6000分大关。游戏测试中，不论是CAPCOM最新发布的《生化危机5》还是流行的《鹰击长空》，在1920×1080分辨率、最高画质的设定下，系统都能获得平均帧速超过60fps的成绩。
而在温度与功耗测试上，可以看出尽管P55主板省去了北桥芯片，但由于系统的“实质内容”(如内存、PCI-E的控制器并没得到省略)，因此仍然具备较高的功耗。在满载状态下系统功耗达到了385W，所以如果要让P55平台在默认频率下稳定工作，一台500W的电源显然是必要配置。发热量上，由于Lynnfield处理器较以往产品集成度更高，因此即便采用12相供电设计，处理器供电电路在满载状态下也会产生很大的发热量，MOSFET散热片的温度达到5"47，5℃。而P55 PCH虽然功能与南桥相比基本相同，并采用65nmW-艺生产，但在实际测试中我们发现，它的发热量也不低，在满载状态下达到了52，5℃。
超频测试
由于Lynnfield处理器相对于Core i7处理器来说只是简化了内存控制器、集成了PCI，E控制器，并没有实质上的变化。因此从理论上来说，Lynnfield处理器的超频方法与Core i7处理器类似，即调高BCLK处理器外频，并尽可能地降低内存、处理器QPI总线与处理器Uncore外围核心频率。而在实测中，我们发现，可能是由于BIOS还不完善的缘故，华硕P7P55 EVO主板BIOS里还未提供QPI与Uncore频率调节项目，因此我们只有依靠调低内存频率、提升处理器外频的方法对处理器进行超频。最终，在1，4V处理器电压下，Lynnfield处理器可以稳定工作在195MHz×20=3，9GHzT，并可完成各类多线程测试，其CINEBENCH R10多核渲染性能提升到了18388分、《生化危机5》在1920x 1080分辨率、最高画质设定下的平均帧速提升到T71，2fps，表现出了主板不错的超频能力。
需要注意的是，由于处理器在满载状态下的默认电压只有1，08v’因此在大幅加压后，系统的功耗与发热量都大大提升。仅仅运行90秒的OCCT电源负载测试后，主板的MOSFET散热片温度就达到了59℃，同时系统的满载功耗也提升到了555W。对于想在P55平台上玩超频的发烧友来说，—定要注意做好散热工作，并购买600W以上的大功率电源。
再次体验P55有感
1 通过此次对华硕P55主板的深度体验，我们可以发现这款接近上市形态的主板设计布局明显改善，PCH“迁移”至传统主板的南桥位置，并使用外形更加科学的散热器，能为用户提供三根PCI-E x16插槽，以及组建三路CrossFireX的能力。
2 坦率地说，除了提供具备FIS切换机制的端口倍增器外，P55芯片组本身并没有带来太多的新功能。不过由于P55芯片组将具备较长的生命周期，对于主板厂商来说十分重要。因此从此次对华硕P55主板的体验可以发现，主板厂商通过集成第三方芯片，为P55主板提供了像SATA 3，0、一键超频、EPU一6等附加功能。可以预计，未来具备USB 3，0等新技术的P55主板也将出现。
3 通过此次体验，我们也可看出北桥在主板上的消失并不能为系统带来功耗的大幅下降。PCI-E控制器、内存控制器继续在处理器内部发挥着它们的作用，对于想对P55平台进行超频的发烧友来说，600W以上的大功率电源仍是必要装备。
4 在华硕P55主板上我们没有发现Braidwood Support闪存盘的插槽。这显示出，尽管之前在P55SE程主板上出现了闪存盘插槽或集成了闪存芯片，但它们都只是作测试之用，正式上市的P55主板是不会为用户提供这一功能的。
优势与问题并存
P55芯片组是Intel为下一代Lynnfield核心处理器设计的使用平台。由于PCI-E 2.0总线控制器、内存控制器已经全部集成在处理器中，因此，P55芯片组的主要功能是起控制存储、音频与网络设备的作用，并提供一定的扩展插槽。其作用仅相当于传统意义上的南桥，所以P55芯片组采用简洁的单芯片设计方案来实现以上功能。与此同时，考虑到主板芯片组在系统中作用的变化，该芯片组的名称也由北桥MCH以及南桥ICH变为了PCH(Platform Controller Hub)，中文名称叫做“平台控制中心”。
规格方面，P55 PCH为用户提供了14 USB 2.0接口、8个PCI-E 2.0通道、6组SATA 2.0存储设备接口，并拥有Rapid Storage Technology~术，可组建RAID 011／5110磁盘阵列。需要特别指出的是，P55芯片提供的SATA接口中，有两个接口是采用了FIS(FrameInformation Structure，帧信息结构)切换机制的端口倍增器，也就是说一个接口可以连接多个存储设备，这些设备可以同时工作并进行数据传输。
在上次测试中，P552工程主板表现出了不俗的性能，其磁盘性能、USB’胜能的表现都相当突出，P55平台功耗也有一定程度的降低。不过由于测试时间较早，测试中的主板与处理器都属于工程样品，因此在测试中我们发现P55SK程主板存在以下一些问题：
1 首先是布局不合理，在上次测试中使用的P55主板上，P55 PCH的安放位置与显卡插槽的位置较近，并使用较高的散热器，导致第一根PCI-E x16显卡插槽无法使用双插槽设计的大型显卡，第二根PCI-E x16显卡插槽无法使用。
2 BIOS中没有调节处理器频率的项目，无法进行超频。
3 在P55主板上出现了Braidwood Support力口速技术使用的闪存盘插槽，然而根据InteI的官方资料，只有定位更高的P57芯片组才能支持此技术，那么P55主板是否支持Braidwood Support呢?
接下来就让我们通过对华硕P55主板的深度体验，看看以上问题是否能得到解决。
颠峰设计华硕P7P55D EVO主板
与以往华硕主板命名有所不同，此次这款华硕P55主板型号后多了一个D，并增加了一个EVO后缀。其中D是英文“Xtreme Design”颠峰设计的缩写，意味着主板在性能、安全、稳定性上都采用了优秀的设计。而EVO则是英文Evolution进化、演变的缩写。采用这个后缀显然想凸显P55芯片组出现后主板将在形态、功能上发生巨大的变化。那么该主板的实际状况如何呢?
设计布局更合理
这款主板采用标准的ATX大板设计、六层PCB，并在处理器供电部分使用了在P5Q、P5Q PRO等华硕P45主板上出现过的V型散热片。揭开主板上的各种散热片，可以看到P55 PCH被安置在了靠近主板左下角的位置，与各种存储接口的距离很近。因此不论是从功能还是布局来说，PCH看起来更像一颗南桥芯片。同时PCH采用了扁平外形的散热器，也令双槽设计的大型显卡插拔更加容易，不会受散热器所影响。我们上次测试中碰到的显卡安装问题在华硕P7P55D EVO主板上得到了很好的解决。
强大的扩展能力
值得注意的是，这款主板为用户提供了三根PCI—E x1 6显卡插槽。由于Lynnfield核心的处理器只能提供16个PCI—E 2，O通道，因此主板上的第三根PCI-E x16插槽的带宽是由P55 PCH提供，其实际带宽为PCI—E x4 2，O。所以这块主板具备组建x8 x8 x4三路CrossFireX的能力，与上一代P45主板相当。除此之外，主板还为用户提供了2个PCI—E x1 2，O与2个PCI插槽，以及6个SATA 2存储接口外，其中2个浅蓝色接口为采用FIS切换机制的端口倍增器。值得一提的是，主板还通过集成Marvell的88SE9123磁盘控制芯片为主板提供T--个PATA并行存储设备接口与两个SATA 3，O接口。当前主板与存储设备的SATA接口主要采用2，0标准，只能提供外部传输率3Gbps的传输速度，而SATA 3，0标准将传输速度提升到了6Gbps，并增加了新的NCQ串行指令，改进了电源管理功能。因此这也意味着华硕P7P55 EVO主板能够连接未来速度更陕的存储设备，并发挥出最大性能，从而为用户提供更大的升级空间。
此外需要提及的是，这块主板的I／O挡板采用了防EMI电磁干扰设计，能更好地保障用户的健康。同时该主板还为USB接口配备了特有的ESD防静电芯片，可以有效抵御静电对主板芯片组的损害，提升了产品的安全系数。
豪华的处理器供电设计
虽然Lynnfield核心处理器采用了先进的45nm工艺制造，但由于内存控制器、PCI—E控制器全部集成在处理器内部，处理器架构较Core i7系列处理器也没有明显变化，因此如果加压超频后处理器也会产生较大的功耗。所以为了让主板在超频后可以稳定工作，为用户提供更好的性能，这款主板采用了比较夸张的等效14市目供电设计。其中12相主要为处理器内核核心服务，另外2相则主要为处理器外围核心电路如内存控制器、PCI-E控制器工作。每相配备一个全封闭电感与两颗瑞萨科技的MOSFET(--颗K0355作为上桥、一颗K0353并联组成下桥)。同时为了让EPU PwM芯片获得12相PWM信号，主板在供电部分还配~rT--颗名为PEM的3路单刀双掷开关芯片。此外，得益于EPU PWM芯片的自适应能力，处理器供电电路还可以根据处理器负载大小进行4、8、12相的切换，以达到合理使用能源的目的。
丰富的功能
除了提供威盛VTl828s 7，1 2声道高保真音频芯片(DAC信噪比达1lOdB)、两颗Realtek的PCI—E千兆网络芯片外，这块主板还集成了威盛VT6308P IEEEl394芯片，并为用户提供两个IEEE 1394接口(其中一个需从机箱前面板引出)。此外该主板还具备一些华硕产品的特色功能。在主板电源接口附近我们可以看到一个外形类似CMOS清空按钮，但名为MemOK的内存重置按键。相信大家在超频时都遇到这样的问题，调高处理器外频后导致内存频率被随动超频，从而导致内存无法工作，系统无法点亮。在华硕P7P55EVO主板上，如果出现这种情况，只需要按--TMemOK，主板就会自动调节处理器外频与内存比例，将内存的频率及延迟参数直接下调到可以正常开机的水平，从而保证用户不会被内存问题所困扰。
其它方面，从主板板载的EPUPwM芯片、Express Gate芯片，我们可以了解到，华硕主板的EPU一6节能技术、内嵌式操作系统等传统特色技术在这块P55主板上均一一得到了继承。而且值得称赞的是，此次华硕还集成了专为实现一键超频功能的Turbo V硬件芯片，这样无需进行软件设定，只要通过外部控制器进行调节就可以实现实时超频，从而为用户带来更好的性能。
性能实测
由于Intel要在9月份才会发布Lvnnfield的正式上市版处理器，因此我们现在只能采用未屏蔽超线程技术的Lynnfield工程版处理器对主板进行测试。考虑到打开超线程技术后会加大系统的功耗与发热量，因此为考察主板在高压环境下的表现，我们在测试中特别打开了超线程技术。从测试成绩来看，配合Radeon HD 4890显卡、双通道DDR3 1333内存，系统发挥出了较好的性能表现。其中PCMark Vantage系统性能轻易地突破了6000分大关。游戏测试中，不论是CAPCOM最新发布的《生化危机5》还是流行的《鹰击长空》，在1920×1080分辨率、最高画质的设定下，系统都能获得平均帧速超过60fps的成绩。
而在温度与功耗测试上，可以看出尽管P55主板省去了北桥芯片，但由于系统的“实质内容”(如内存、PCI-E的控制器并没得到省略)，因此仍然具备较高的功耗。在满载状态下系统功耗达到了385W，所以如果要让P55平台在默认频率下稳定工作，一台500W的电源显然是必要配置。发热量上，由于Lynnfield处理器较以往产品集成度更高，因此即便采用12相供电设计，处理器供电电路在满载状态下也会产生很大的发热量，MOSFET散热片的温度达到5"47，5℃。而P55 PCH虽然功能与南桥相比基本相同，并采用65nmW-艺生产，但在实际测试中我们发现，它的发热量也不低，在满载状态下达到了52，5℃。
超频测试
由于Lynnfield处理器相对于Core i7处理器来说只是简化了内存控制器、集成了PCI，E控制器，并没有实质上的变化。因此从理论上来说，Lynnfield处理器的超频方法与Core i7处理器类似，即调高BCLK处理器外频，并尽可能地降低内存、处理器QPI总线与处理器Uncore外围核心频率。而在实测中，我们发现，可能是由于BIOS还不完善的缘故，华硕P7P55 EVO主板BIOS里还未提供QPI与Uncore频率调节项目，因此我们只有依靠调低内存频率、提升处理器外频的方法对处理器进行超频。最终，在1，4V处理器电压下，Lynnfield处理器可以稳定工作在195MHz×20=3，9GHzT，并可完成各类多线程测试，其CINEBENCH R10多核渲染性能提升到了18388分、《生化危机5》在1920x 1080分辨率、最高画质设定下的平均帧速提升到T71，2fps，表现出了主板不错的超频能力。
需要注意的是，由于处理器在满载状态下的默认电压只有1，08v’因此在大幅加压后，系统的功耗与发热量都大大提升。仅仅运行90秒的OCCT电源负载测试后，主板的MOSFET散热片温度就达到了59℃，同时系统的满载功耗也提升到了555W。对于想在P55平台上玩超频的发烧友来说，—定要注意做好散热工作，并购买600W以上的大功率电源。
再次体验P55有感
1 通过此次对华硕P55主板的深度体验，我们可以发现这款接近上市形态的主板设计布局明显改善，PCH“迁移”至传统主板的南桥位置，并使用外形更加科学的散热器，能为用户提供三根PCI-E x16插槽，以及组建三路CrossFireX的能力。
2 坦率地说，除了提供具备FIS切换机制的端口倍增器外，P55芯片组本身并没有带来太多的新功能。不过由于P55芯片组将具备较长的生命周期，对于主板厂商来说十分重要。因此从此次对华硕P55主板的体验可以发现，主板厂商通过集成第三方芯片，为P55主板提供了像SATA 3，0、一键超频、EPU一6等附加功能。可以预计，未来具备USB 3，0等新技术的P55主板也将出现。
3 通过此次体验，我们也可看出北桥在主板上的消失并不能为系统带来功耗的大幅下降。PCI-E控制器、内存控制器继续在处理器内部发挥着它们的作用，对于想对P55平台进行超频的发烧友来说，600W以上的大功率电源仍是必要装备。
4 在华硕P55主板上我们没有发现Braidwood Support闪存盘的插槽。这显示出，尽管之前在P55SE程主板上出现了闪存盘插槽或集成了闪存芯片，但它们都只是作测试之用，正式上市的P55主板是不会为用户提供这一功能的。