【摘 要】
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采用CSMC 0.6μm 2P2M CMOS工艺设计并实现了0.5mV高灵敏度,72dB超宽动态范围的200Mbps CMOS限幅放大器.该电路详细分析和设计了一种新型的有源直流漂移消除环路获得这一性能
【机 构】
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东南大学射频与光电集成电路研究所,江苏新志光电有限公司
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采用CSMC 0.6μm 2P2M CMOS工艺设计并实现了0.5mV高灵敏度,72dB超宽动态范围的200Mbps CMOS限幅放大器.该电路详细分析和设计了一种新型的有源直流漂移消除环路获得这一性能.利用信号通路中的限幅放大器,实现了基于分段线性近似的接收信号强度指示电路.信号检测的动态范围高达60dB,对数精度小于2dB.整个电路在5V单电源下工作,功耗为60mW.芯片有效面积为1.05mm2.
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