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随着集成电路制造技术节点进一步缩减,高 k介质层金属栅工艺得到广泛应用.该工艺中,减少高 k介质层淀积的微粒污染对后续膜层的生长质量至关重要.采用原子层淀积法生长了高走的 HfO2层.针对高是层表面容易引入微粒污染的问题,采取了改变 HfO2 淀积过程反应物H2O 、HfCl4 的脉冲时间和冲洗时间的方法.当 H2O的冲洗时间增加量为 3 000 ms时,微粒数量、杂质 Cl离子含量显著降低.该工艺研究对实际工艺中高 k层的可靠性、合格率的提高和生产成本的降低均有重要价值.