【摘 要】
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将Hg注入到Hg_(1-x)Cd_xTe中,制成2～14微米带的p-n结光伏探测器。在上述整个波长范围内都已制得了高灵敏度光电二极管。最有意义的是在8～14微米范围内的那些结果。其峰值探测度
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将Hg注入到Hg_(1-x)Cd_xTe中,制成2～14微米带的p-n结光伏探测器。在上述整个波长范围内都已制得了高灵敏度光电二极管。最有意义的是在8～14微米范围内的那些结果。其峰值探测度优于10~(10)厘米赫~(1/2)瓦~(-1),零偏压电阻与面积的乘积在2.4～0.12欧厘米~2之间,比响应率在1.2×10~4和5×10~2伏瓦~(-1)之间,量子效率在65％和45％间。
Hg was injected into Hg_ (1-x) Cd_xTe to make a p-n junction photodetector with 2 ~ 14 μm band. High sensitivity photodiodes have been fabricated over the entire wavelength range described above. The most significant are those in the range of 8-14 microns. The peak detection is better than 10 ~ (10) cm ~ (1/2) W ~ (-1). The product of zero bias resistance and area is between 2.4 ~ 0.12 cm ~ 2 and the specific response rate is 1.2 × 10 ~ 4 and 5 × 10 ~ 2V ~ (-1), the quantum efficiency is between 65% and 45%.
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