外延碲镉汞的光电特性

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本文讨论了梯度组分的n-p结外延HgCdTe材料与器件,研究了外延层、退火层和扩散层的电学特性,观察到扩散层载流子浓度的反常分布,描述了制备工艺与光电特性的关系,制备了多元8~14微米均匀的红外探测器,计算了费米能级并借以解释现象和指导工艺。 In this paper, we discuss the np junction epitaxial HgCdTe materials and devices with gradient components. The electrical properties of the epitaxial, annealed and diffused layers are investigated. The anomalous distribution of the carrier concentration in the diffused layer is observed. The relationship between the fabrication process and the photoelectric properties is described , Prepared a uniform 8 ~ 14 micron infrared detector, calculate the Fermi level and to explain the phenomenon and guide the process.
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