【摘 要】
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在新材料ＳＩＭＯＸ上制作ＣＭＯＳ器件，并采用静态Ｉ－Ｖ技术，研究了ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ在（６０）Ｃｏ－γ电离辐照场中辐照感生界面态、氧化物正电荷、阈值电压、静态漏电流等参数的变化。结果表明，在辐照过程中，氧化物正电荷增加较多，界
【机 构】
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中国科学院新疆物理研究所，中国科学院上海冶金研究所，江苏石油化工学院
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在新材料ＳＩＭＯＸ上制作ＣＭＯＳ器件，并采用静态Ｉ－Ｖ技术，研究了ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ在（６０）Ｃｏ－γ电离辐照场中辐照感生界面态、氧化物正电荷、阈值电压、静态漏电流等参数的变化。结果表明，在辐照过程中，氧化物正电荷增加较多，界面态增加较少，且ＮＭＯＳ和ＰＭＯＳ＂导通＂辐照偏置是最恶劣偏置。
A novel CMOS device was fabricated on SIMOX. The static I-V technique was used to study the relationship between the induced interface state of CMOS / SIMOX in the (60) Co-γ ionizing radiation field, the positive charge of oxide, the threshold voltage, Leakage current and other parameters change. The results show that during irradiation, the positive charge of oxide increases more and the interface states increase less, and the bias of NMOS and PMOS “on” radiation is the worst bias.
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