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提出了一种可显著改善宣温下直流磁控溅射氧化铟锡（ITO）薄膜晶体结构、光学和电学性能的后处理方法，将ITO薄膜分别置于氩气、氨气和氧气中进行低温等离子体退火处理．同单纯的退火处理相比，在3种气氛下，低温等离子退火均可使室温溅射沉积的ITO薄膜在相对低的温度（150℃）时，由非晶态转变为晶态，其相应的电学和光学性能都有较大的提高．实验证明：氨气气氛下退火温度为350℃时，玻璃衬底上ITO薄膜在波长为600nm的可见光区内的透光率可达88．5％；薄膜表面的针刺很少，表面平整度小于2．08nm方块电阻由348．