【摘 要】
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本文论述了一种适用于功率ASIC应用、以双极功率IC工艺为基础的BiCMOS技术,着重讨论了工艺对器件性能的影响,指出影响兼容的关键是栅氧的制作和降低高压大电流工作下晶体管的
【机 构】
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机电部二十四所 重庆永川 632167
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本文论述了一种适用于功率ASIC应用、以双极功率IC工艺为基础的BiCMOS技术,着重讨论了工艺对器件性能的影响,指出影响兼容的关键是栅氧的制作和降低高压大电流工作下晶体管的饱和压降。采用该技术获得了良好的高压大电流性能。
This article discusses a suitable BiCMOS technology for power ASIC applications based on bipolar power IC technology, focusing on the impact of the process on device performance, pointed out that the key to compatibility is the production of gate oxide and reduce high-voltage high-current work Transistor saturation voltage drop. Using this technique, good high-voltage, high-current performance is obtained.
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