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COB封装中芯片在基板不同位置的残余应力
COB封装中芯片在基板不同位置的残余应力
来源 :功能材料与器件学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:fsddz
【摘 要】
:
利用硅压阻力学芯片传感器作为原位监测的载体,研究了直接粘贴芯片的封装方式中,芯片在基板上的不同位置对于封装后残余应力的影响以及在热处理过程中残余应力的变化,发现粘
【作 者】
:
孙志国
黄卫东
蒋玉齐
罗乐
【机 构】
:
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
【出 处】
:
功能材料与器件学报
【发表日期】
:
2002年4期
【关键词】
:
COB封装
芯片
基板
硅压阻传感器
残余应力
位置
失效
silicon piezoresitive chip residual stress site fa
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利用硅压阻力学芯片传感器作为原位监测的载体,研究了直接粘贴芯片的封装方式中,芯片在基板上的不同位置对于封装后残余应力的影响以及在热处理过程中残余应力的变化,发现粘贴在基板靠近边的位置和中心位置时应力水平接近,但是靠近基板一角的位置应力较大,而且在热处理过程中应力出现"突跳"和"尖点".
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