【摘 要】
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本文对10 MeV电子辐照的GaN进行了不同温度的热退火处理。用光致发光谱和霍尔测量了样品的光电性能随退火温度的变化。实验结果表明：黄光带强度、电子浓度和电子迁移率随退火
【基金项目】
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河北省自然科学基金（F2012202083）,河北省青年科学基金（F2009000124）
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本文对10 MeV电子辐照的GaN进行了不同温度的热退火处理。用光致发光谱和霍尔测量了样品的光电性能随退火温度的变化。实验结果表明：黄光带强度、电子浓度和电子迁移率随退火温度呈非线性变化。在200～600℃退火范围内,黄光带、电子浓度和电子迁移率的变化是由于辐照Ga空位与O施主杂质的结合和断裂引起的。800℃退火后黄光带、电子浓度和电子迁移率的变化与电子辐照引入的N空位有关。
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