【摘 要】
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南京固体器件研究所已研制出X波段砷化镓单片单级功率放大器.FET管芯、匹配电路和偏置电路全部集成在l×1.2×0.1mm的GaAs芯片上,其中MESFET的总栅宽为600μm,栅长0.8μm,采
【机 构】
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南京固体器件研究所,南京固体器件研究所
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南京固体器件研究所已研制出X波段砷化镓单片单级功率放大器.FET管芯、匹配电路和偏置电路全部集成在l×1.2×0.1mm的GaAs芯片上,其中MESFET的总栅宽为600μm,栅长0.8μm,采用空气桥源互连,电路全部采用集总参数元件,并首次将高通滤波器型匹配
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