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硅IGBT已经广泛用于轨道牵引变频器,不久的将来,碳化硅（SiC）技术将在三个方向上进一步扩展开关器件的极限：更高的阻断电压、更高的工作温度和更高的开关速度。如今,第一批SiC MOSFET模块已经有效的投向市场,并且很有希望。虽然目前在阻断电压方面仍有待提高,但这些宽禁带器件将大大改善牵引电路的效率,尤其是在开关损耗上预期会有显著的降低,从而导致功率-重量比的大幅改善。