【摘 要】
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据《NEC技报》2004年第3期报道,日本NEC开发了用于下一代大容量无线系统的具有90W以上输出功率的S波段宽带(400MHz)GaAs大功率放大器。该放大器在1个芯片内封装了2只50W输出
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据《NEC技报》2004年第3期报道,日本NEC开发了用于下一代大容量无线系统的具有90W以上输出功率的S波段宽带(400MHz)GaAs大功率放大器。该放大器在1个芯片内封装了2只50W输出功率的GaAs HJFET和内匹配电路。包含外部电路和偏置电路在内的放大器尺寸为5×14cm。该放大器在电源电压12V、2.9
According to the NEC Technology Bulletin No. 3, 2004, Japan’s NEC has developed an S-band broadband (400MHz) GaAs high-power amplifier with 90W or more output power for next-generation high-capacity wireless systems. The amplifier in a single chip package 2 50W output power GaAs HJFET and the internal matching circuit. The amplifier, which includes external circuitry and bias circuitry, measures 5 x 14 cm. The amplifier is at supply voltage 12V, 2.9
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