【摘 要】
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为确保光生电荷输出在直接注入到CCD时不超过存贮容量,介绍了非本征硅红外光电导体的所需掺杂浓度、厚度和其它参数的计算。当CCD用来从非本征硅红外光电导探测器阵列读出红
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为确保光生电荷输出在直接注入到CCD时不超过存贮容量,介绍了非本征硅红外光电导体的所需掺杂浓度、厚度和其它参数的计算。当CCD用来从非本征硅红外光电导探测器阵列读出红外信号时,每个元件产生的光生电荷可以传输到CCD和移位到探测器阵列的边
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