【摘 要】
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利用等离子体增强化学气相淀积技术,在绝缘氮化硅(SiNx)衬底上制备超薄非晶硅(a-Si:H)薄膜,通过超短脉冲激光辐照与准静态常规热退火技术处理,制备出高密度、均匀纳米硅(nc-S
【机 构】
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南京大学物理系,固体微结构物理国家重点实验室,南京,210093
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利用等离子体增强化学气相淀积技术,在绝缘氮化硅(SiNx)衬底上制备超薄非晶硅(a-Si:H)薄膜,通过超短脉冲激光辐照与准静态常规热退火技术处理,制备出高密度、均匀纳米硅(nc-Si)量子点.使用原子力显微镜对处理前后样品的表面形貌进行了研究,发现激光辐照能量密度增加的同时,所形成的nc-Si尺寸也随之增加.在合适的能量密度范围内,可以得到面密度大于1011/cm2、尺寸分布标准偏差小于20%的10 nm nc-Si量子点薄膜,表明所制备的nc-Si量子点具有较好的均匀性及较高的面密度.同时,对nc-Si量子点的形成过程进行了初步探讨.
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