【摘 要】
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本文认为,样品对光的吸收长度远小于样品的厚度,P型和n型样品的表面光伏符号总是相反;当样品的光吸收长度相当于样品的厚度,光照于硅的粗磨面时,表面光伏谱有一极值,极值点对
【机 构】
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本文认为,样品对光的吸收长度远小于样品的厚度,P型和n型样品的表面光伏符号总是相反;当样品的光吸收长度相当于样品的厚度,光照于硅的粗磨面时,表面光伏谱有一极值,极值点对应着硅的间接吸收,可用于测量Si的禁带宽度。此外,还对不同的导电类型和表面处理的硅片,计算其总的表面光伏,所得结果与实验基本一致。
In this paper, the sample absorption wavelength is far less than the thickness of the sample, the P-type and n-type samples of the surface photovoltaic symbols are always the opposite; when the light absorption length of the sample is equivalent to the thickness of the sample, The surface photovoltaic spectrum has an extreme value, the extreme point corresponds to the indirect absorption of silicon, which can be used to measure the forbidden band width of Si. In addition, the total surface photovoltage is calculated for different conductive types and surface-treated silicon wafers, and the results are basically consistent with the experiment.
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