【摘 要】
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理论上说,N 型沟道 MOS 在组装密度和速度方面要比 P 型沟道的好。N 型沟道器件空穴载流子运动比 P 型沟道器件的要快3倍。由于制造比较困难,所以制造者对 N 型沟道器件制造
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理论上说,N 型沟道 MOS 在组装密度和速度方面要比 P 型沟道的好。N 型沟道器件空穴载流子运动比 P 型沟道器件的要快3倍。由于制造比较困难,所以制造者对 N 型沟道器件制造很慎重—在制造过程中栅区下的杂散离子必须不被俘获,它们在阈值电压下会产生不理想的变化。
In theory, N-channel MOS is better at stacking density and speed than P-channel. The hole carrier mobility of N-channel device is 3 times faster than that of P-channel device. Due to the manufacturing difficulties, manufacturers are cautious in making N-channel devices - stray ions under the gate must not be trapped during fabrication, and they create undesirable changes at threshold voltages.
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