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在对传统带隙基准源基本原理分析的基础上，提出了一种适用于单片集成AC/DC变换器的带隙基准电路。该电路采用无运放的带隙结构， 避免了运放失调电压对基准源的影响。基于LITEON 1μm HV BiCMOS工艺，Hspice仿真结果表明，该基准源产生1.238V的基准电压，电源抑制比高达60dB，在-40℃-140℃温度范围内，基准电压仅变化3.9mV，温度系数为16.6×10^-6/℃， 完全满足AC/DC变换器对其性能的要求。