【摘 要】
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日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,其E系列器件新增650 V功率MOSFET。新的E系列器件采用Vishay Siliconix超级结技术,导通电阻低至30 mΩ、电流达6 A～105 A,在8种封装中
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日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,其E系列器件新增650 V功率MOSFET。新的E系列器件采用Vishay Siliconix超级结技术,导通电阻低至30 mΩ、电流达6 A～105 A,在8种封装中实现低FOM和高功率密度。
Vishay Intertechnology, Inc. today announced the addition of 650 V power MOSFETs to its E-Series devices. The new E-series devices utilize Vishay Siliconix’s super-junction technology with low on-resistance of 30 mΩ and currents of 6 A to 105 A, enabling low FOM and high power density in eight packages.
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