绝缘体上硅(SOI)提供了一种 “Si/SiO₂/Si”三层结构,采用深度反应离子刻蚀(DRIE)工艺,利用其中的二氧化硅绝缘层作为刻蚀自停止层,可以有效控制深硅刻蚀的深度,从而得到厚度均匀、无残余应力的体硅薄膜。利用这层体硅薄膜作为微变形镜的镜面,对DRIE工艺和硅/玻阳极键合工艺等进行了深入研究,研制了基于SOI的薄膜式微变形镜的加工工艺,获得了微变形镜样件并进行了初步测试。该微变形镜采用静电力驱动,具有69个驱动单元,通光孔径为10 mm。经测试,其表面质量在7.6 mm×7.6 mm测试区域内波峰波谷(PV)值约为1.2 μm,均方根(RMS)值约为193 nm;局部表面质量达到PV值约为8.3 nm,RMS值约为1.2 nm;在施加120 V电压时,镜面中心最大变形量达到4.25 μm以上。