从富汞熔体生长的掺杂Hg_(1-x)Cd_xTe外延层的性能

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实验方法掺杂实验中采用了三种可能的方法:(1)最简单和最常用的方法包括仔细地称出所要求数量的掺杂剂和打开衬底支座的挡板机构把它滴入熔体内。大多数掺杂剂在数量适中时很易在饱和温度或比该温度高几度的温度下溶解。当所加杂质量不比1mg少很多时,这种直接加杂法对不挥发性固体掺杂剂是很奏效的。在2.5kg熔体系统中,这个量在熔体中产生的掺杂剂浓度约为3×10~(16)原子/cm~3(于原子重量约为100时);(2)浓度低于此值时可配制具有一种主要熔体成分的低百分比掺杂剂溶液。已测过数量的这种锭料也如上述进行溶解。分 Experimental Methods Three possible methods were used in the doping experiments: (1) The simplest and most common method consisted of carefully weighing out the required amount of dopant and opening the baffle mechanism of the substrate support to drop it into the melt in vivo. Most dopants are easily dissolved at moderate saturation temperatures or temperatures several degrees above this level in moderate quantities. This direct addition method works well for non-volatile solid dopants when the amount of added impurities is not much less than 1 mg. This amount produces a dopant concentration in the melt of about 3 x 10? (16) atoms / cm? (At an atomic weight of about 100) in a 2.5 kg melt system; (2) At this value, a low percentage dopant solution with one of the major melt components can be formulated. The quantity of the ingot that has been measured is also dissolved as described above. Minute
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