550℃下器件质量级GaN的原子层外延生长

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在550℃用原子层外延生长了 GaN 单晶薄膜。在低温下生长的薄膜室温光致发光特性由带边发射所控制,其强度与在1000℃通过金属有机物化学汽相淀积生长的薄膜强度相当。这些生成态薄膜具有10~(16)/cm~(-3)水平的本底载流子浓度,因此,原子层外延是氮化物低温生长的一种好方法。 GaN single crystal films were grown by atomic layer epitaxy at 550 ℃. The room temperature photoluminescence properties of films grown at low temperatures are controlled by the edge emission with intensities comparable to those of films grown by metal organic chemical vapor deposition at 1000 ° C. These formed films have a background carrier concentration of 10-16 / cm -3. Therefore, atomic layer epitaxy is a good method for the growth of nitride at low temperature.
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