【摘 要】
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采用分子束外延技术(MBE)在MgO(001)基板上沉积了氧化铬薄膜,并利用x射线衍射(XRD)和x射线反射谱(XRR)对薄膜的晶体结构进行了表征.θ-2θ扫描和倒易空间图(RSM)揭示出薄膜为
【机 构】
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电子科技大学微电子与固体电子学院,Material Science Centre
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采用分子束外延技术(MBE)在MgO(001)基板上沉积了氧化铬薄膜,并利用x射线衍射(XRD)和x射线反射谱(XRR)对薄膜的晶体结构进行了表征.θ-2θ扫描和倒易空间图(RSM)揭示出薄膜为单相c轴外延生长,晶体结构为体心正交,晶胞常数a,b,c分别为0.8940±0.0003,0.298±0.0002和0.3897±0.0002nm.φ扫描表明薄膜在面内具有90°孪晶,取向关系为a∥MgO〈110〉, c∥MgO(001).XRR谱测得薄膜的电子密度为1350±20nm-3,与由晶胞体积计算得到的电子密度非常吻合,表明薄膜的化学成分为Cr2O3.该物质在结构上等同于沿MgO〈110〉方向存在着1/3有序的Cr空位,具有NaCl结构的CrO.
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