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采用沉淀法合成了Eu^3＋不同掺杂浓度的YVO4：Eu^3＋纳米晶。利用X射线衍射和荧光光谱对材料的结构、发光性能进行了研究。XRD研究结果表明：在较低温度下合成的样品为四方相YVO4，纳米粒子的晶粒尺寸为7nm。发射光谱和激发光谱的研究表明：宽的激发带主要来自于Eu—O和V—O的电荷迁移带。发射峰来自于5D0—7FJ的跃迁。纳米YVO4：Eu^3＋的猝灭浓度为12％，荧光寿命随Eu^3＋离子的浓度的增加而缩短。