波长扩展InGaAs探测器的量子效率优化

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通过建立双异质结型InGaAs探测器光响应的理论模型,分别对正面和背面进光时InP基波长扩展In0.8Ga0.2As/In0.79Al0.21AsPIN探测器结构参数与光响应特性的关系进行了研究,模拟结果与采用GSMBE方法研制器件的实测数据吻合较好。此外,还提出了两种改良的背照射InGaAs探测器结构,并对其光响应特性进行了模拟计算,还基于模拟结果对器件结构参数进行了优化设计。 By establishing the theoretical model of the optical response of the double heterojunction InGaAs detector, the relationship between the structural parameters of In0.8Ga0.2As / In0.79Al0.21AsPIN detector and the photoresponse characteristics of the InP base-wavelength-extended InP base- The study, the simulation results and the use of GSMBE method developed device measured data in good agreement. In addition, two improved structures of back-illuminated InGaAs detectors are proposed, and their photoresponse characteristics are simulated. The structural parameters of the device are also optimized based on the simulation results.
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