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采用溶液添加法在中压压敏电阻中引入金属K^＋离子．研究不同含量的对ZnO压敏电阴电性能的影响及其机理，结果表明：K^＋能增强ZnO压敏电阻的稳定性，富集在晶界处的K^＋因补充了晶界处正点中心的数量，使耐受8／20μs峰值电流冲击性能提高；K2O的高温液相烧结促使瓷体的气泡等烧结缺陷减少，使其2ms方波脉冲冲击性能提高；随着K掺入量的增加和烧结时间的延长，晶粒尺寸增大，压敏电压梯度减小。