【摘 要】
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目的 研究在镀铜的铁基引线支架上沉积钨薄膜的工艺及其性能。方法 利用真空磁控溅射技术沉积制备钨薄膜层,并用SEM,EDS,XRD等技术对沉积层的组织和性能进行分析。结果 在一
【机 构】
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桂林电子科技大学材料科学与工程学院
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目的 研究在镀铜的铁基引线支架上沉积钨薄膜的工艺及其性能。方法 利用真空磁控溅射技术沉积制备钨薄膜层,并用SEM,EDS,XRD等技术对沉积层的组织和性能进行分析。结果 在一定的工作气压、温度和沉积时间下,钨沉积层厚度随着溅射功率的增大非线性增加,沉积层均匀性好,组织较致密,与基体结合力较强,沉积层钨原子沿（110）晶面择优生长。沉积层的电阻率小于1.5×10^-6Ω·m,电阻温度系数小于0.0052/℃,抗氧化性较好。结论 在引线支架表面沉积金属钨可获得组织均匀致密的薄膜,其结合力、
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