【摘 要】
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当两个拥有不同电势的物体接触时,电势差会导致电荷流动,从而产生放电,这种现象称为静电放电(Electrostatic Discharge,ESD).ESD所产生的瞬间高电压和大电流,会烧毁击穿半导
【机 构】
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中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡,214072
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当两个拥有不同电势的物体接触时,电势差会导致电荷流动,从而产生放电,这种现象称为静电放电(Electrostatic Discharge,ESD).ESD所产生的瞬间高电压和大电流,会烧毁击穿半导体中的器件,最终导致整个半导体芯片永久性失效.随着硅基CMOS工艺技术的不断进步,由ESD引起的失效问题也随着特征尺寸的变小而日益严重.首先分析了几种常见的静电放电模式以及测试模型,随后基于SMIC公司0.18 μm BCD工艺,在传统GGNMOS抗辐照ESD结构基础上进行优化,设计一款GGNMOS+RC Power Clamp抗ESD结构.经流片测试后,证明该款电路抗ESD能力强,且性能稳定.
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