【摘 要】
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研究了在FFS-TFT制作工艺中,沉积非晶氮化硅薄膜对透明金属ITO的影响。结果表明沉积氮化硅薄膜的硅烷流量对ITO的透过率有着很大影响,降低硅烷的流量可以阻止薄雾状姆拉的产
【机 构】
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京东方科技集团股份有限公司技术中心Array/CF技术研究所,
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研究了在FFS-TFT制作工艺中,沉积非晶氮化硅薄膜对透明金属ITO的影响。结果表明沉积氮化硅薄膜的硅烷流量对ITO的透过率有着很大影响,降低硅烷的流量可以阻止薄雾状姆拉的产生。通过优化氮化硅薄膜沉积条件,先在透明导电金属ITO薄膜上面使用低流量硅烷沉积一薄层氮化硅作为缓冲层,然后使用高流量的硅烷在其上再沉积氮化硅薄膜,这样不仅解决了薄雾状姆拉,同时还以提高氮化硅的沉积速率,满足生产需求。
The effect of amorphous silicon nitride film on transparent ITO was studied in FFS-TFT fabrication process. The results show that the deposition of silicon nitride film flow rate of ITO has a great impact on the transmittance, reducing the flow of silane can prevent the formation of mush Moire. By optimizing the deposition conditions of the silicon nitride film, a thin layer of silicon nitride is first deposited on the transparent conductive metal ITO film using a low flow rate silane as a buffer layer, and then the silicon nitride film is deposited thereon using a high flow rate silane, so that not only Solve the m-like mist, but also to improve the deposition rate of silicon nitride to meet production needs.
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