【摘 要】
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以四异丙醇钛、三甲基铝和去离子水分别为钛源、铝源和氧源,低温条件下用原子层沉积(ALD)技术在FTO导电玻璃上制备TiO2薄膜和掺杂不同比例元素Al的TiO2 (ATO)薄膜,并将其作为
【机 构】
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北京印刷学院等离子体物理及材料研究室 北京 102600
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以四异丙醇钛、三甲基铝和去离子水分别为钛源、铝源和氧源,低温条件下用原子层沉积(ALD)技术在FTO导电玻璃上制备TiO2薄膜和掺杂不同比例元素Al的TiO2 (ATO)薄膜,并将其作为光阳极用于平面钙钛矿太阳电池.测量TiO2和不同Al比例掺杂的ATO薄膜X射线衍射,研究掺杂比对TiO2晶格的影响.同时,以FTO导电玻璃为基底在TiO2(或ATO)薄膜上沉积Al做电极制备FTO/TiO2/Al和FTO/ATO/Al,测量它们的I-V曲线,研究Al掺杂对TiO2薄膜导电性能的影响.最后,以TiO2和掺杂比为1∶120制备的ATO为光阳极,组装成钙钛矿太阳电池器件FTO/TiO2(或FTO/ATO)/CH3 NH3 PbI3-xClx/spiro-OMETAD/Au,测量电池J-V特性曲线.与TiO2为光阳极器件相比,掺杂比为1∶120的ATO基器件开路电压从0.89提高到1.01 V,填充因子从59％提高到64％,光电转换效率由9.26％提高到11.31％.发现少量Al掺杂不会改变TiO2薄膜晶型结构,但是会改变TiO2电阻.
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