【摘 要】
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对高纯外延 N 型 GaAs 的高压霍尔测量作到了60千巴,结果表明,在50千巴和室温下,X_(1C)迁移率为350±40厘米~2伏~(-1)·秒~(-1)。X_(1C)-Γ_(1C)子带能隙确定为0.38±0.01电
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对高纯外延 N 型 GaAs 的高压霍尔测量作到了60千巴,结果表明,在50千巴和室温下,X_(1C)迁移率为350±40厘米~2伏~(-1)·秒~(-1)。X_(1C)-Γ_(1C)子带能隙确定为0.38±0.01电子伏,X_(1C)态密度有效质量是0.85±0.10m_e。结果还指出,可能有三个而不是六个 X_(1C)最小点,它们位在区域边缘。
The high pressure Hall measurement of high purity epitaxial N-type GaAs achieved 60 kPa. The results show that the mobility of X 1C at 350kPa and room temperature is 350 ± 40cmV-2V -1 sec · s ~ (-1). The energy band of X_ (1C) -Γ_ (1C) subband is 0.38 ± 0.01 electron volts, and the effective mass density of X_ (1C) is 0.85 ± 0.10m_e. The results also indicate that there may be three rather than six X_ (1C) minimum points that are located at the edge of the area.
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