半导体切割激光光源专利浅析

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1 概 述rn激光加工是一个复杂的过程,最理想的情况是能使绝大多数激光能量直接作用于原子间共价键,使晶体转变为分离的单原子或者分子并蒸发汽化,减少热响应区且不影响到非加工区域,也就是人们常说的“激光冷加工”. 而激光源的品质不仅决定了一台激光切割装置的成本的1/3左右,也同时直接影响了实际加工中情况与理想的“激光冷加工”接近程度.脉冲激光光源可以利用单脉冲激光在瞬间释放大量能量将晶圆融化气化,单脉冲激光作用时间即脉宽大小是决定切缝大小的重要因素. 但是,脉宽很小单脉冲激光的能量过小,会出现晶圆没有完全切开的情形.由此对于激光加工来说,采用高峰值功率密度(短脉冲、高能量)的激光可以实现材料的高速切割,其切割槽较传统机械划片较窄,能够有效提升晶圆片的加工品质和良品率. 目前用于切割领域的激光光源主要为YAG激光器、二氧化碳激光器、钛宝石激光器以及光纤激光器.而影响激光加工质量的关键因素之一在于激光源的选择,激光光源的激光光束质量、激光模式、脉冲宽度、光斑大小、能量密度等等,激光源的性质将严重影响所切割的半导体材料,因此激光光源的技术研究与类型选择在激光加工领域中承担着重要角色. 当前出于冷加工半导体材料的考虑,当前的加工领域中采用脉冲型光源为首选.下文将对激光光源的技术进展进行分析.
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