【摘 要】
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薄膜晶体管光刻制程中,光刻胶光刻平面位置是决定光刻图形质量的关键因素。为了在光刻机最小分辨率条件下改善光刻图形质量,本文从光刻胶内反射光线的反射特点出发,以减小光
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薄膜晶体管光刻制程中,光刻胶光刻平面位置是决定光刻图形质量的关键因素。为了在光刻机最小分辨率条件下改善光刻图形质量,本文从光刻胶内反射光线的反射特点出发,以减小光刻胶内反射光线对非光刻区域的光刻光强及增加光刻区域的光刻胶底部光刻光强为基础,推导出光刻光线倾斜入射光刻胶平面时,光刻胶光刻平面位置调整量的计算公式,并以该公式计算出的调整量对光刻胶光刻平面进行调整。结果表明:对于最小分辨率为3.0μm的投影光刻机,进行线间距为2.2μm的产品光刻时,以该公式计算出的调整量对光刻胶光刻平面调整后,较未调整前,光刻
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