直管式反应室感应耦合等离子体技术制备氮化硅薄膜研究

来源 :华南师范大学学报：自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wdwd521

【摘要】

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采用直管式反应感应耦合等离子体增强化学气相沉积法(ICPECVD)制备氮化硅薄膜,并用傅立叶变换红外光谱仪测试了氮化硅薄膜的红外光谱,结果表明氮化硅薄膜中不仅存在Si-N键,而

【作者】

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樊双莉陈俊芳吴先球赵文锋孙辉符斯列向鹏飞蒙高庆

【机构】

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华南师范大学物理与电信工程学院

【出处】

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华南师范大学学报：自然科学版

【发表日期】

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2004年4期

【关键词】

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感应耦合等离子体氮化硅薄膜离子密度直管薄膜制备化学气相沉积法等离子体参数反应室并用增强 ICPECVD silicon nitride thi

【基金项目】

：

广东省自然科学基金，广东省科技攻关项目，广东省高教厅科研项目

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采用直管式反应感应耦合等离子体增强化学气相沉积法(ICPECVD)制备氮化硅薄膜,并用傅立叶变换红外光谱仪测试了氮化硅薄膜的红外光谱,结果表明氮化硅薄膜中不仅存在Si-N键,而且由于杂质氢的存在而含有Si-H键和N-H键.用朗缪尔单探针测试了直管式反应室中的等离子体参数,得到离子密度Ni在反应室内轴向以及径向位置的变化规律, 弄清了离子密度Ni分布比较均匀的区域,分析了离子密度Ni分布的均匀性对等离子体干法刻蚀和薄膜制备的影响和意义.

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